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碳化硅肖特基二极管

HyCores SiC 产品谱系实现了 SBD 耐压 650V 到 1700V，电流 2A 到 70A，1200V MOSFET Rdson 从 280mΩ到 40mΩ 的自主设计与制造。
碳化硅MOSFET

HyCores 提供额定电压为 1200V 的基于 SiC 的功率 MOSFET，具有高性能以服务于绿色能源应用。
模块和定制化产品

HyCores 为希望享受设计优势的客户提供定制的器件与设备解决方案。
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上海市闵行区申长路588号虹桥绿谷B栋3A12室
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